图一给出了GEKKO－XII实验布局。实验重要的突破是利用该装置12路，共4±0.2kJ，3TW的激光束对称驱动直径505±5μm，壁厚6.4±0.1μm的CH靶球，产生峰值温度接近1keV，平均温度约0.48keV的x射线辐射场，从而在实验室内实现了黑洞等致密天体周边的辐射场条件，如图二。致密天体周围的气体则利用一束10ns，低光强5×1010W/cm2的激光脉冲辐照平板Si靶产生的等离子体来模拟。经过8ns－10ns膨胀后，等离子体电子温度降低至约25eV，电子密度降低至约5×1019cm-3。这样低的电子密度和温度，粒子与粒子之间的碰撞过程在短的时间尺度内不占主导地位；膨胀后等离子体的平均离化态在Si6＋到Si8＋之间。在经CH靶球内爆产生的温度为0.48keV 的x射线辐射场辐照后，实验测量到了以类He硅离子Kα线（1.860 keV）为主的x射线发射谱，如图三。这个谱线与观测到的双星系统的X射线谱对应部分极其相似，如Cygnus X-3和Vela X-1。但实验科学家们利用细致Non-LTE模型对谱线成分特征的分析，却给出了与天体物理学家不同解释。科学家们相信，根据实验结果，人们对致密天体周围物质结构的认识或许需要做一定的修正。

图1：实验布局：激光驱动球靶辐射场，预等离子体以及各实验元素位置

图2：辐射场平均温度

图3：实验测到的光离化等离子体谱线（点及误差），与理论计算曲线（点化线）